Журнал физической химии и биофизики

Журнал физической химии и биофизики
Открытый доступ

ISSN: 2161-0398

Абстрактный

Сверхрешеточные фотодиоды InAs/GaSb, работающие в средневолновой инфракрасной области спектра

Кристол П., Дельмас М., Россиньоль Р. и Родригес Х.Б.

Сверхрешетка InAs/GaSb (SL) является перспективной системой материалов для высокопроизводительного инфракрасного детектора. Электрические и оптические свойства напрямую определяются составом и периодичностью ячейки InAs/GaSb. В частности, несколько структур с различными соотношениями толщин InAs и GaSb в каждом периоде SL могут быть нацелены на одну и ту же граничную длину волны и демонстрировать разный тип проводимости, n-тип или p-тип. Следовательно, используя определенные периоды SL, можно спроектировать средневолновый инфракрасный штыревой фотодиод без преднамеренного легирования структуры. Сообщается об электрических и электрооптических характеристиках такого устройства, изготовленного методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Отказ от ответственности: Этот тезис был переведен с использованием инструментов искусственного интеллекта и еще не прошел рецензирование или проверку.
Top